用来研究样品在加热状态时，不同温度条件下，晶体结构发生的变化。

主要技术参数：
　　温度设置范围：空气、真空或是惰性气体保护　 室温到+1600℃
　　温度控制速度：从室温加热到1600℃ 　 　　　 >8分钟
　　温度控制精度：温度设定值　　　　　　　　　 ±0.5℃
　　温度设定方式：软件控制，连续设定
　　窗　　　　口：耐400℃、0.04㎜聚酯膜
　　冷 却 方 式：蒸馏水循环冷却